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J-GLOBAL ID：200903079100426057

強磁性半導体及び強磁性半導体素子

Inventor： 李 禹榮 ,  韓 ▲すく▼▲ひ▼ ,  張 ▲じょん▼然 ,  金 喜中 ,  李 定美 ,  明 在旻
Applicant, Patent owner： コリア インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー
Agent (3)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003041152
Publication number (International publication number)：2004104070
Application date： Feb. 19, 2003
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】常温で磁気特性を有する半導体及びその製造方法、並びに常温強磁性半導体を使用した種々のスピン電子素子を提供する。【解決手段】Ga、Al及びInからなる群から選択される一つの物質Aと、N及びPからなる群から選択される一つの物質Bと、を含むIII-V族化合物強磁性半導体半導体であって、化合物強磁性半導体は、物質Aを置換する物質としてMn、Mg、Co、Fe、Ni、Cr及びVからなる群から選択される一つの物質Cがドーピングされ、全体として単相である強磁性半導体である。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

Ga、Al及びInからなる群から選択される一つの物質Aと、N及びPからなる群から選択される一つの物質Bと、を含むIII-V族化合物強磁性半導体であって、 化合物強磁性半導体は、物質Aを置換する物質としてMn、Mg、Co、Fe、Ni、Cr及びVからなる群から選択される一つの物質Cがドーピングされ、全体として単相であることを特徴とする強磁性半導体。

IPC (4)：

H01F10/193 ,  H01F41/30 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

FI (4)：

H01F10/193 ,  H01F41/30 ,  H01L43/08 S ,  H01L43/12

F-Term (5)：

5E049AB09 ,  5E049AB10 ,  5E049AC03 ,  5E049BA25 ,  5E049JC05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-392407   Applicant：シャープ株式会社
• III-N系化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-266480   Applicant：シャープ株式会社
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-283556   Applicant：昭和電工株式会社
• 巨大磁気抵抗効果を利用したメモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-137084   Applicant：キヤノン株式会社
• スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-039343   Applicant：株式会社東芝
• 段階的な化学量の絶縁層を備えた多層トンネル素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-569831   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• III-V族半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-329166   Applicant：株式会社アルバック

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Properties of Ferromagnetic Ga1-xMnxN Films Grown by Ammonia-MBE