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J-GLOBAL ID：200903079126646640

窒化珪素質焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板

Inventor：
江本 秀幸

About 江本 秀幸

, 
廣津留 秀樹

About 廣津留 秀樹


Applicant, Patent owner：
電気化学工業株式会社

About 電気化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133142
Publication number (International publication number)：1999322437
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】高熱伝導率で、回路基板に好適な窒化珪素質焼結体を安価に提供する。【解決手段】窒化珪素90〜99mol%、イットリウム(Y)及びランタノイド族元素の1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更に、Hf、Ti、Zrから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、4μmの波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下の窒化珪素質焼結体とそれを用いた回路基板。及び、SiO2/(Re2O3+SiO2)のモル比が0.05〜0.5となるように組成を調整し、1MPa以下の窒素雰囲気中1800〜2000°Cで焼成する前記焼結体の製造方法。
Claim (excerpt)：
窒化珪素(Si3N4)90〜99mol%、イットリウム(Y)及びランタノイド族元素の1種以上を酸化物(Re2O3)換算で1〜10mol%、更に、Hf、Ti、Zrから選ばれる1種以上を酸化物(MO2)換算で0〜4mol%含有し、4μmの波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下であることを特徴とする窒化珪素質焼結体。
IPC (3)：
C04B 35/584 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/03 610
FI (3)：
C04B 35/58 102 K ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/03 610 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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