窒化珪素質焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133142
Publication number (International publication number)：1999322437
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】高熱伝導率で、回路基板に好適な窒化珪素質焼結体を安価に提供する。【解決手段】窒化珪素90〜99mol%、イットリウム(Y)及びランタノイド族元素の1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更に、Hf、Ti、Zrから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、4μmの波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下の窒化珪素質焼結体とそれを用いた回路基板。及び、SiO2/(Re2O3+SiO2)のモル比が0.05〜0.5となるように組成を調整し、1MPa以下の窒素雰囲気中1800〜2000°Cで焼成する前記焼結体の製造方法。

Claim (excerpt)：

窒化珪素(Si3N4)90〜99mol%、イットリウム(Y)及びランタノイド族元素の1種以上を酸化物(Re2O3)換算で1〜10mol%、更に、Hf、Ti、Zrから選ばれる1種以上を酸化物(MO2)換算で0〜4mol%含有し、4μmの波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下であることを特徴とする窒化珪素質焼結体。

IPC (3)：

C04B 35/584 , C04B 37/02 , H05K 1/03 610

FI (3)：

C04B 35/58 102 K , C04B 37/02 B , H05K 1/03 610 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-218975
高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344237 Applicant：株式会社東芝
特開平4-219371

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