Pat
J-GLOBAL ID:200903079135108457

pin型光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999224061
Publication number (International publication number):2001053329
Application date: Aug. 06, 1999
Publication date: Feb. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 簡易かつ大面積化が容易である装置及び方法により、所望の波長の光に対して感応し、電流を取り出すことができるpin型光電変換素子を提供することを目的としている。【解決手段】 このpin型光電変換素子は、入射光に感応してキャリアを生成するi型半導体層領域1iをp型半導体層領域1pとn型半導体層領域1nとの間に有してなるpin型光電変換素子において、i型半導体層領域1iが酸化チタンである。p型半導体層領域1pは、亜酸化銅、酸化銅及び酸化ニッケルからなる群から選択され、n型半導体層領域1nは、酸化すず、酸化インジウム、酸化亜鉛及び硫化亜鉛からなる群から選択される。
Claim (excerpt):
入射光に感応してキャリアを生成するi型半導体層領域をp型半導体層領域とn型半導体層領域との間に有してなるpin型光電変換素子において、前記i型半導体層領域は酸化チタンであることを特徴とするpin型光電変換素子。
F-Term (11):
5F049MA04 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049NA18 ,  5F049NB10 ,  5F049PA20 ,  5F049SE02 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 色素増感太陽電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-072809   Applicant:財団法人電力中央研究所
  • 特開昭51-041983

Return to Previous Page