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J-GLOBAL ID:200903079157104340

ハニカム構造体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 祥泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996175864
Publication number (International publication number):1997077573
Application date: Jun. 14, 1996
Publication date: Mar. 25, 1997
Summary:
【要約】【課題】 高捕集率,低圧損,かつ低熱膨張率の特性を合わせ持つコージェライトハニカム構造体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 化学組成がSiO2 45〜55重量%,Al2 O3 33〜42重量%,MgO12〜18重量%よりなるコージェライトを主成分とするハニカム構造体である。25〜800°Cの間における熱膨張係数が0.3×10-6/°C以下,気孔率が55〜80%,平均細孔径が25〜40μmであり,かつ隔壁表面の細孔は5〜40μmの小孔と40〜100μmの大孔とよりなり,上記小孔の数は上記大孔の数の5〜40倍である。
Claim (excerpt):
化学組成がSiO2 45〜55重量%,Al2 O3 33〜42重量%,MgO12〜18重量%よりなるコージェライトを主成分とするハニカム構造体であって,25〜800°Cの間における熱膨張係数が0.3×10-6/°C以下,気孔率が55〜80%,平均細孔径が25〜40μmであり,かつ隔壁表面の細孔は5〜40μmの小孔と40〜100μmの大孔とよりなり,上記小孔の数は上記大孔の数の5〜40倍であることを特徴とするハニカム構造体。
IPC (8):
C04B 38/06 ,  B01D 39/20 ,  B01J 21/16 ,  B01J 35/04 301 ,  B01J 35/04 ,  C04B 35/195 ,  F01N 3/02 301 ,  B01D 46/00 302
FI (8):
C04B 38/06 H ,  B01D 39/20 D ,  B01J 21/16 A ,  B01J 35/04 301 M ,  B01J 35/04 301 P ,  F01N 3/02 301 C ,  B01D 46/00 302 ,  C04B 35/16 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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