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J-GLOBAL ID:200903079163279526

低圧誘導結合プラズマ点火装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994263351
Publication number (International publication number):1995211490
Application date: Oct. 27, 1994
Publication date: Aug. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 低いミリトル範囲の圧力で半導体ウエハの処理するのに適した装置を提供する。【構成】 誘電性ウィンドウ24を有する真空チャンバ12と、真空チャンバ12の外部に誘電性ウィンドウ24に隣接して配置され電力源28に結合されたほぼ平坦なコイル26と、真空チャンバ12内のプラズマ・イニシエータとから成る。処理される半導体ウエハ22は、真空チャンバ12内にサポート・ペデスタル20上におかれる。プラズマがいったん開始されると、平坦コイルがプラズマを誘導電力結合によって維持する。
Claim (excerpt):
プラズマ発生装置において、ガス入口と真空出口とアパーチャとを含む真空チャンバと、前記アパーチャ内に配置され、コンテナに対して実質的に真空のシールを形成する誘電性のウィンドウと、前記ウィンドウに隣接して前記真空チャンバの外側に配置されたほぼ平坦なコイルと、前記真空チャンバの中で、低い5ミリトル(millitorr)の範囲内の圧力でプラズマ放電を開始させるスタータ手段と、を備えており、前記チャンバ内のプラズマ放電は、前記スタータ手段によって開始され、前記ほぼ平坦なコイルから前記プラズマに与えられるエネルギによって維持されることを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (5):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (2):
H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-079025
  • 特開昭62-178779
  • 特開昭63-158798
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