微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997080940
Publication number (International publication number)：1998073927
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】露光によるレジストパターンの形成においては、波長による微細化の限界があり、これを超える必要がある。【解決手段】露光により酸を発生する材料を含むレジストパターンの上を、酸の存在で架橋する材料を含むレジストで覆う。加熱又は露光によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせる。これにより、レジストのホール径の縮小、分離幅の縮小ができる。

Claim (excerpt)：

水溶性樹脂の1種類、又は前記水溶性樹脂の2種類以上の混合物、あるいは前記水溶性樹脂の2種類以上による共重合物を主成分とし、酸の存在により架橋反応を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。

IPC (6)：

G03F 7/095 , C23F 1/00 102 , G03F 7/038 601 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (7)：

G03F 7/095 , C23F 1/00 102 , G03F 7/038 601 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573 , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭57-084451
特開昭63-138353
パタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042826 Applicant：株式会社日立製作所

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