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J-GLOBAL ID:200903079175742116

レジスト組成物、および基板上にパタ-ン形成したレジスト層を形成する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000013834
Publication number (International publication number):2000221686
Application date: Jan. 24, 2000
Publication date: Aug. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】 解像度が高く、耐エッチング性が強化された、放射感受性レジスト組成物、およびパターン形成されたレジスト皮膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 レジスト組成物は、シリコンを含有する重合体添加剤と、シリコンを含有しない基本重合体と、光酸発生剤と、溶媒とを含む。この組成物は、シリコン含有量が高い上面領域を有するレジスト皮膜を形成することができる。
Claim (excerpt):
(a)シリコンを含有する重合体添加剤と、(b)シリコンを含有しない基本重合体と、(c)光酸発生剤と、(d)溶媒とを含み、(a)または(b)の少なくとも一方が酸に感受性を有する保護基を含有し、(a)および(b)の両方が露光処理後に塩基水溶液に可溶であることを特徴とする、放射感受性レジスト組成物。
IPC (3):
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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