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J-GLOBAL ID:200903079194505095

ナノ粒子化処理に用いるレーザ光照射条件の決定方法及び決定装置並びにナノ粒子の製造方法並びにナノ粒子の粒径分布推定方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002334075
Publication number (International publication number):2004167316
Application date: Nov. 18, 2002
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】効率的なナノ粒子化処理を実現できるレーザ光照射条件を的確に決定することができるナノ粒子化処理に用いるレーザ光照射条件の決定方法及び決定装置並びにナノ粒子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、被処理液2中の懸濁物質のナノ粒子化処理に用いるレーザ光照射条件の決定方法において、被処理液2にレーザ光を照射し懸濁物質をナノ粒子化処理してナノ粒子を生成させ、そのとき発生する衝撃波を観測する工程と、この工程で観測される衝撃波について解析を行うことによりナノ粒子化処理におけるレーザ光照射条件を決定する工程を含む。この場合、観測される衝撃波について解析を行うことにより、効率的なナノ粒子化を実現するレーザ光照射条件を的確に決定することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
被処理液中の物質のナノ粒子化処理に用いるレーザ光照射条件の決定方法において、 前記被処理液にレーザ光を照射し、前記物質をナノ粒子化処理してナノ粒子を生成させ、そのとき発生する衝撃波を観測する衝撃波観測工程と、 前記衝撃波観測工程で観測される衝撃波の強度について解析を行うことにより前記ナノ粒子化処理に用いるレーザ光照射条件を決定する解析工程と、 を含むことを特徴とするナノ粒子化処理に用いるレーザ光照射条件の決定方法。
IPC (3):
B01J19/12 ,  B01J19/00 ,  G01N29/00
FI (4):
B01J19/12 H ,  B01J19/12 B ,  B01J19/00 N ,  G01N29/00
F-Term (10):
2G047AA01 ,  2G047BC04 ,  2G047CA04 ,  2G047EA12 ,  2G047GG12 ,  2G047GG36 ,  4G075AA27 ,  4G075CA36 ,  4G075CA51 ,  4G075EC11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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