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J-GLOBAL ID：200903079194750405

プラズマ処理装置の異常原因判定方法及び異常原因判定装置

Inventor：
田中 秀樹

About 田中 秀樹


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003143887
Publication number (International publication number)：2004349419
Application date： May. 21, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：
【課題】異常原因となる解析用データのパラメータを的確に特定する。【解決手段】プラズマ処理装置に配設された検出器から被処理体の各処理ごとに得られる検出値に基づいて複数のパラメータからなる解析用データを取得し,異常と判断された解析用データの各パラメータについて,異常に対する影響度として例えば残差得点Qに対する寄与度を求め(影響度算出工程),寄与度が高いパラメータの順に,そのパラメータの寄与度を0又は0に近い値にして次々と残差得点Qを求め,残差得点Qが所定値以下になった時点で,それまでに寄与度を0又は0に近い値にしたパラメータを異常原因のパラメータと判定する(異常原因判定工程)。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理室内の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の異常原因判定方法であって, 前記プラズマ処理装置に配設された検出器から前記被処理体の各処理ごとに得られる検出値に基づいて複数のパラメータからなる解析用データを取得する解析用データ取得工程と, 取得された前記解析用データを分析して異常か否かを判定する異常判定工程と, 異常と判定された前記解析用データの各パラメータについて,その異常に対する影響度を算出する影響度算出工程と, 前記影響度が高いパラメータの順に,異常に対する影響を次々と取除いて異常か否かの判定を行い,正常と判断されるようになった時点で,それまでに異常に対する影響を取除いたパラメータを異常原因のパラメータと判定する異常原因判定工程と, を有することを特徴とするプラズマ処理装置の異常原因判定方法。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  H01L21/02
FI (2)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/02 Z
F-Term (9)：
5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004CA09 ,  5F004CB01 ,  5F004CB02 ,  5F004CB05 ,  5F004CB07 ,  5F004CB12 ,  5F004CB20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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