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J-GLOBAL ID：200903079200519664

素子分離方法、素子分離構造、及び半導体装置

Inventor：
土屋 賀子

About 土屋 賀子


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133472
Publication number (International publication number)：1996330410
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 トレンチ素子分離技術を利用する場合において、トレンチエッジに窪みが形成される問題、及びこれに伴うトランジスタ特性上の問題を解決した素子分離方法、素子分離構造、この素子分離技術を利用した半導体装置の提供。【構成】 ?@素子間にトレンチ1を形成して該トレンチ1にSiO2 等の絶縁材2を埋め込んで素子間分離を行う際、絶縁材2を埋め込んだトレンチ1の上縁部に窪み4を形成し、該窪みに前記絶縁材2とエッチング比のとれるSi3 N4 等の絶縁材料5を埋め込む。?A半導体基板3に拡散層とゲート構造を備える素子を少なくとも1つ備え、素子間にトレンチ1を形成して該トレンチ1に絶縁材2を埋め込んで素子間分離を行い、絶縁材2を埋め込んだトレンチ1の上縁部に該絶縁材2とエッチング比のとれる絶縁材料5を形成し、該材料5は拡散層に影響を及ぼす位置を避けて形成する。
Claim (excerpt)：
素子間にトレンチを形成して該トレンチに絶縁材を埋め込んで素子間分離を行う素子分離方法において、絶縁材を埋め込んだトレンチの上縁部に窪みを形成し、該窪みに前記絶縁材とエッチング比のとれる絶縁材料を埋め込むことを特徴とする素子分離方法。
IPC (2)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/762
FI (2)：
H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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