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J-GLOBAL ID：200903079242598173

処理システム及びこれを用いたデバイス生産方法

Inventor： 長谷川 隆行 ,  藤岡 秀彦 ,  米山 好人
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995069611
Publication number (International publication number)：1996264404
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ヘリウムなど雰囲気ガスの利用効率を高めることで、ランニングコストの低減をはかった処理システムの提供する。【構成】 露光処理を行う第1処理チャンバ101と、レジスト塗布・現像処理を行う第2の処理チャンバ130と、第1の処理チャンバ101使用した雰囲気ガスを第2処理チャンバ130に導入して再利用する。そして、第2処理チャンバ130で使用した雰囲気ガスを再び第1処理チャンバ101に循環させる。循環する雰囲気ガスの少なくとも一部はガス精製器112aで精製して純度を向上させる。

Claim (excerpt)：

第1の処理を行う第1処理チャンバと、第2の処理を行う第2の処理チャンバと、該第1の処理チャンバ使用した雰囲気ガスを該第2処理チャンバに導入して再利用する手段を有することを特徴とする処理システム。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/30 531 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• シリコン基板のドライエッチング方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-113273   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-104817
  

Cited by examiner (1)

• シリコン基板のドライエッチング方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-113273   Applicant：富士通株式会社