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J-GLOBAL ID：200903079255068530

集積回路装置およびその製法

Inventor： ヒュー・ラルフ・ブラウン ,  ケニス・レイモンド・カーター ,  チャ・ヒュク=ジン ,  リチャード・アンソニー・ディピエトロ ,  ジェームズ・ラプトン・ヘドリック ,  ジョン・パトリック・ハメル ,  ロバート・デニス・ミラー ,  ド・ユン・ヨーン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997281641
Publication number (International publication number)：1998135202
Application date： Oct. 15, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低い誘電率を示す改良された誘電体材料からなる改良された集積回路を提供する。【解決手段】 (i)基板と、(ii)基板上に置かれた金属回路線と(iii)回路線上に置かれた誘電材料で構成される集積回路装置。誘電材料は、有機ポリシリカと、ポリアミン酸エステルからなり、前駆物質重合体は末端基がアルコキシリルアルキル基であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

(a)基板と、(b)基板上に位置する金属回路線と、(c)回路線に隣接して位置し、有機ポリシリカと、(RO)m(R")nSiR'-を末端基とし、RおよびR'がそれぞれヒドロカルビル基、R"がヒドリドまたはヒドロカルビル基、mが1、2、または3、n+m=3であるポリアミン酸エステルとの反応生成物を含む誘電性組成物とを具備する、集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C08G 73/10 ,  C08G 77/455 ,  C09D183/10 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 G ,  C08G 73/10 ,  C08G 77/455 ,  C09D183/10 ,  H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 低熱伝導率ポリイミドシロキサンフィルム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-199072   Applicant：チッソ株式会社
• 特開平2-202950
  
• 特公昭55-005361