半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲垣清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000222414
Publication number (International publication number)：2002043419
Application date： Jul. 24, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】デュアル・ダマシン法による埋め込み配線を形成する半導体装置の製造時に生ずるパターン位置ずれによる不良品を発生しない方法の提供。【解決手段】Cu層62上に拡散防止絶縁膜64、低誘電率絶縁膜66を成膜し、その上にそれぞれエッチングレートの異る3層のハードマスク68,70,72をを形成する。マスク72をパターニングしてスルーホール84上部位置をエッチングしてマスク68を露出し、次いで配線溝86上部のマスク72のみを除去して位置決めを確定した後マスク70によりスルーホール84を絶縁膜64が露出するまで開口し、続いてマスク72により配線溝86部のマスク70,68及び低誘電率絶縁膜66とスルーホール底の拡散防止絶縁膜64をエッチングして開口を終る。バリアメタルTa層88を成膜しCu層90を堆積して上面を研磨して上層配線92、ビアプラグ94を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の配線とその上層の第2の配線とを備え、第1及び第2の配線間にスルーホールが形成されている半導体装置の製造方法において、第2の配線及びスルーホールを形成する際、第1の配線上の層間膜として、順次、第1の配線の配線金属の拡散防止膜として機能する第1の絶縁膜と、低誘電率膜層からなる第2の絶縁膜とを形成する絶縁膜成膜工程と、第2の絶縁膜上に成膜された少なくとも3層以上の絶縁ハードマスク層で構成され、かつ、それらの3層の絶縁ハードマスク層は同じエッチング条件ではエッチングレートが相互に異なる多層ハードマスク層であって、第2の絶縁膜上に、順次、第1の絶縁ハードマスク層、第2の絶縁ハードマスク層及び第3の絶縁ハードマスク層を成膜する多層ハードマスク層の成膜工程と、第3及び第2のハードマスク層をエッチングして、スルーホールパターンである第1の開口部をセルフアラインで第1のハードマスク上に形成する第1の開口部形成工程と、第3のハードマスク層をエッチングして、第2の配線の配線溝パターンであって、第1の開口部に連通する第2の開口部を第2のハードマクス層上に形成する第2の開口部形成工程と、第2のハードマスク層をエッチングマスクとして、第1のハードマスク層をエッチングするステップと、更に第2の絶縁膜をエッチングするステップとを有して、第1及び第2の開口部に連通し、かつ第1の絶縁層を露出させる第3の開口部を形成する第3の開口部形成工程と、第3のハードマスク層をエッチングマスクとして、第2のハードマスク層、第1のハードマスク層、及び第2の絶縁膜の上部をエッチングして、第2の配線の配線溝を形成すると共に第1の絶縁層をエッチングして、第1の配線を露出させるスルーホールを開口する第2の配線の配線溝/スルーホール形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/90 A , H01L 21/90 J

F-Term (31)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033XX15 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-253769 Applicant：ソニー株式会社

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