半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996271613
Publication number (International publication number)：1998098197
Application date： Sep. 20, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】配線間の容量による電力消費を低減し、かつ高い集積度で集積化可能な半導体装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタにおいて、高い周波数が印加される、ゲイト電極105と、前記ソース電極106またはドレイン電極108の一方の間の距離は、低い周波数が印加される前記ゲイト電極105と、前記ソース電極106またはドレイン電極108の他方との間の距離より大きくする。

Claim (excerpt)：

ソース領域、ドレイン領域およびこれらの間に配置されたチャネル形成領域を有する半導体層と、前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して配置されたゲイト電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極とでなる電界効果トランジスタにおいて、前記ゲイト電極と、前記ソース電極またはドレイン電極の一方の間の距離は、前記ゲイト電極と、前記ソース電極またはドレイン電極の他方との間の距離より大きいことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 613 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

絶縁ゲート型電界効果半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-333725 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体集積回路装置の出力ドライバ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-125254 Applicant：日本モトローラ株式会社
液晶画像表示装置及び半導体光学部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-219558 Applicant：キヤノン株式会社

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