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J-GLOBAL ID：200903079312083966

誘電体膜の成膜方法

Inventor： 谷 典明 ,  中村 久三 ,  鈴木 郁生 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  白 忠烈 ,  石川 道夫
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253383
Publication number (International publication number)：1995109567
Application date： Oct. 08, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来のセラミックス材ターゲットに印加される印加パワーに対してスパッタリングに寄与するエネルギーの損失が少なく、スパッタ収率が高く、またターゲットに印加する印加パワーを大きくすることが出来て、安定した高い成膜速度で成膜することが出来る誘電体膜の成膜方法。【構成】 セラミックス材ターゲットをスパッタリング法により基板上に誘電体膜として成膜する成膜方法において、スパッタリングターゲットの印加電圧1.5Vで板厚方向に測定した電気抵抗が10Ω・cm以下のセラミックス材ターゲットを用いてスパッタ成膜する。

Claim (excerpt)：

セラミックス材ターゲットをスパッタリング法により基板上に誘電体膜として成膜する成膜方法において、スパッタリングターゲットの印加電圧1.5Vで板厚方向に測定した電気抵抗が10Ω・cm以下のセラミックス材ターゲットを使用してスパッタ成膜することを特徴とする誘電体膜の成膜方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-058510
  
• 特開昭59-136480
  
• 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-120120   Applicant：真空冶金株式会社