Pat
J-GLOBAL ID:200903079323205397
ダイナミックRAM
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平戸 哲夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993059110
Publication number (International publication number):1994275075
Application date: Mar. 18, 1993
Publication date: Sep. 30, 1994
Summary:
【要約】【目的】回路規模を小さくすると共に、配線数を減らし、チップ面積の縮小化を図り、コストの低減化を達成する。【構成】センスアンプ駆動回路370〜3763に共用されるセンスアンプ駆動回路制御信号発生回路66を設けると共に、センスアンプ駆動回路370〜3763のそれぞれに対応させてセンスアンプ駆動回路制御信号伝送ゲート回路680〜6863を設ける。
Claim (excerpt):
それぞれにセンスアンプ駆動信号線対を設けてなる複数のメモリセル領域を配列すると共に、これら複数のメモリセル領域の一又は複数のメモリセル領域ごとにセンスアンプを同時に駆動する複数のセンスアンプ駆動回路を設けて構成されるダイナミックRAMにおいて、前記複数のセンスアンプ駆動回路に共用されるセンスアンプ駆動回路制御信号発生回路と、前記複数のセンスアンプ駆動回路のそれぞれに近接して配置され、前記センスアンプ駆動回路制御信号発生回路から前記複数のセンスアンプ駆動回路に供給されるセンスアンプ駆動回路制御信号の通過を制御する複数のセンスアンプ駆動回路制御信号伝送ゲート回路と、前記一又は複数のメモリセル領域ごとにセンスアンプを同時に駆動させるように、前記複数のセンスアンプ駆動回路制御信号伝送ゲート回路のオン、オフ動作を制御するセンスアンプ駆動回路制御信号伝送ゲート制御回路とを設けていることを特徴とするダイナミックRAM。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
特開平3-222182
-
特開平1-307995
-
特開平4-047585
-
半導体メモリ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-010924
Applicant:三菱電機株式会社
Show all
Return to Previous Page