Pat

J-GLOBAL ID：200903079324243403

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 有留 誠一 ,  渡部 浩 ,  遠藤 哲郎 ,  白田 理一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228523
Publication number (International publication number)：1995099256
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 トンネル絶縁膜界面及び浮遊ゲート・制御ゲート間絶縁膜特性の両方を満たすような浮遊ゲートを形成することができ、素子特性及び信頼性の向上をはかり得るEEPROMを提供すること。【構成】 半導体基板の上にトンネル絶縁膜を介して浮遊ゲートを形成し、この浮遊ゲート上にゲート絶縁膜を介して制御ゲートを形成して電気的書き替え可能なメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個集積化したEEPROMにおいて、浮遊ゲートを2層多結晶シリコン膜40a,40bで形成し、下層のシリコン膜40aには不純物として砒素をドープし、上層のシリコン膜40bには不純物として砒素をドープすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して浮遊ゲートを形成し、この浮遊ゲート上にゲート絶縁膜を介して制御ゲートを形成して電気的書き替え可能なメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個集積化した不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートは、半導体膜に複数種の不純物種がドープされてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平2-295170
  
• 特開昭62-145872
  
• 特開平1-243473
  
• NAND構造の半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-279070   Applicant：ローム株式会社