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J-GLOBAL ID：200903079340388810

パターン形成方法

Inventor： 森澤 拓 ,  白石 洋 ,  古澤 健志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040933
Publication number (International publication number)：1997230600
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【解決手段】被加工材を主表面に有する基体上に形成したシラザン結合(図1、103)を含むレジスト膜に、選択的に光を照射して露光部を直接光酸化し、これを現像して露光部または未露光部を選択的に除去してレジストパターンを形成し、これをマスクとして、下地被加工材をエッチングする。【効果】高い解像性能と、大きなドライエッチ耐性、優れた寸法制御性を有し、かつ工程数の少ない低コストでスループットの高いパターン形成が可能となり、半導体装置製造に有用である。

Claim (excerpt)：

シラザン結合を含むポリマー又はオリゴマーを主たる成分として構成する感光性材料からなる薄膜を基体上に形成する第1の工程、上記感光性膜に遠紫外光を選択的に露光し、該露光された部分のシラザン結合を切断することにより光酸化する第2の工程、上記感光性膜を現像して上記露光部、又は上記露光部以外の膜を選択的に除去しパターンを形成する第3の工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-252018   Applicant：触媒化成工業株式会社