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J-GLOBAL ID：200903079396332753

有機半導体素子

Inventor： 三浦 大祐 ,  村井 啓一 ,  宮崎 元
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003106354
Publication number (International publication number)：2004311872
Application date： Apr. 10, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】移動度、オン/オフ比に優れた有機半導体を提供する。【解決手段】有機半導体層に有機物で処理した炭素材料を利用する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極、絶縁材料層、ソースドレイン電極、有機化合物薄膜層を有する有機半導体素子において、該有機化合物薄膜層が少なくとも有機材料で処理されている炭素材料からなる層であることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (12)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 重合体コンポジット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-295899   Applicant：東レ株式会社

Cited by examiner (1)

• 重合体コンポジット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-295899   Applicant：東レ株式会社