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J-GLOBAL ID：200903079473514800

単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  尾上 浩三 ,  勝野 正和 ,  高橋 淳 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996339760
Publication number (International publication number)：1998182296
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥が少なく単一結晶多形の炭化珪素単結晶インゴットを作製する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長させる方法において、バッファー結晶層を設け、その上に所望の本体となる結晶を成長してインゴットを作製する。その際、バッファー結晶層成長時に、成長結晶表面に多量の不純物を供給し、バッファー層中に該不純物を固溶限界の1/20以上、望ましくは1/5以上含有させる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶において、種結晶部と、不純物を固溶限界の1/20以上添加しマイクロパイプ欠陥発生を抑制したバッファー層部と、結晶多形と不純物濃度を所望のものに制御した本体部を有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01S 3/109

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01S 3/109

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-223986   Applicant：新日本製鐵株式会社