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J-GLOBAL ID：200903079480967578

半導体装置

Inventor：
山田 資隆

About 山田 資隆


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995306655
Publication number (International publication number)：1997127186
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】ホットキャリア等での素子特性の劣化モニタ用にリングオシレータを搭載し、これを発振させて周波数カウンタで周波数を測定し、劣化の下限値データとの比較結果を外部に出力することにより、特性劣化したデバイスの使用を可能にするとともに、ACとしての劣化を把握可能とする。【解決手段】劣化指標となるリングオシレータ2、リングオシレータ2の発振周波数を測定する周波数カウンタ1、リングオシレータ2の発振周波数と比較するデータを記憶させたメモリ4、リングオシレータ2の発振周波数とメモリ4に記憶させたデータとを比較する比較回路3と、を含む。
Claim (excerpt)：
リングオシレータと、前記リングオシレータの発振周波数を測定する周波数カウンタと、前記リングオシレータの発振周波数と比較するデータを記憶する記憶手段と、前記リングオシレータの発振周波数と前記記憶手段に記憶されたデータとを比較する比較回路と、を含むトランジスタ劣化モニタ回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 21/66
FI (4)：
G01R 31/26 B ,  G11C 29/00 303 Z ,  H01L 21/66 V ,  G01R 31/28 V
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294012   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-251259   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体論理集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-170825   Applicant：日本電気株式会社

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