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J-GLOBAL ID：200903079556275433

プラズマ処理装置

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998165874
Publication number (International publication number)：1999339997
Application date： May. 30, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 アンテナ部材を効率的に冷却してアンテナ部材の変形等を防止するようにしたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波発生器86にて発生したマイクロ波を、導波管88を介して平面アンテナ部材62に導き、これよりマイクロ波透過窓60を介して被処理体Wをプラズマ処理する処理容器22内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部材の近傍に冷却空間70,78を形成し、この冷却空間内に前記平面アンテナ部材を冷却する冷媒を流す。これにより、アンテナ部材を冷却してこの熱変形を防止する。
Claim (excerpt)：
マイクロ波発生器にて発生したマイクロ波を、導波管を介して平面アンテナ部材に導き、これよりマイクロ波透過窓を介して被処理体をプラズマ処理する処理容器内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部材の近傍に冷却空間を形成し、この冷却空間内に前記平面アンテナ部材を冷却する冷媒を流すように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50
FI (6)：
H05H 1/46 C ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/34 L ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平3-191073
  • 特開平3-068771
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-248767   Applicant：東京エレクトロン株式会社
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