MOS型半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：半田昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144237
Publication number (International publication number)：1994334196
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】メモリセルの縮小が可能で、かつソース抵抗を低減することのできるMOS型半導体記憶装置を提供する。【構成】半導体基板1と、前記半導体基板1上に形成されたソース領域3とドレイン領域2、及びソース領域とドレイン領域の間の前記基板の領域上に、前記基板から絶縁されて形成されたゲート手段6,7とをもったMOSトランジスタと、前記ソース領域に直接接触し、かつ前記ゲート手段から絶縁して形成されたソース導電膜11とを備えた、MOS型半導体記憶装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域の間の前記基板の領域上に、前記基板から絶縁されて形成されたゲート手段とをもったMOSトランジスタと、前記ソース領域に直接接触し、かつ前記ゲート手段から絶縁して形成されたソース導電膜と、を具備することを特徴とするMOS型半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-097568
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-160990 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-052267

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