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J-GLOBAL ID：200903079665708307

半導体レーザ装置

Inventor：
山中 英生

About 山中 英生


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001189574
Publication number (International publication number)：2003008149
Application date： Jun. 22, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、電気-光変換層の端面に流れる無効電流を抑制し信頼性を向上させる。【解決手段】 共振器面において、第一導電型クラッド層2の端面と第二導電型クラッド層8の端面とを結ぶ、複数の半導体層を通る最短ルートに対して電気-光変換層5の端面が外側に突出した構造とする。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも第一導電型クラッド層、電気-光変換層および第二導電型クラッド層をこの順に含む複数の半導体層を積層してなり、対向する両側面を共振器面とする半導体レーザ装置であって、少なくとも一方の共振器面において、前記第一導電型クラッド層の端面と前記第二導電型クラッド層の端面とを結ぶ、前記複数の半導体層を通る最短ルートに対して前記電気-光変換層の端面が外側に突出していることを特徴とする半導体レーザ装置。
F-Term (13)：
5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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