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J-GLOBAL ID:200903044268145837
光学素子及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊丹 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996149209
Publication number (International publication number):1997331108
Application date: Jun. 11, 1996
Publication date: Dec. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 出力光の広がり角を小さくしてファイバ等への結合効率向上を可能とした光学素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 n型InP基板1上に、n型下部クラッド層3、i型InGaAsP活性層4bを含むInGaAsP光導波路層4、及びp型InP上部クラッド層5が順次形成され、上部クラッド層5及び光導波路層4がストライプ状にパターニングされてその側部に電流ブロック層7が形成されたBH構造を有し、基板の劈開により形成されて光導波路層4の先端部9が露出する光出射端面8を有するDFBレーザであって、光出射端面8に露出する光導波路層4の先端部9をInPエッチングにより突出させた。
Claim (excerpt):
クラッド層により囲まれた光導波路層を有し、前記光導波路層の先端部が露出する光出射端面を有する光学素子において、前記光導波路層の先端部を前記クラッド層のエッチングにより突出させたことを特徴とする光学素子。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開昭61-081689
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特開昭55-107289
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光半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-341706
Applicant:キヤノン株式会社
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半導体端面発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-108557
Applicant:旭硝子株式会社
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半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-189774
Applicant:富士通株式会社
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特開昭61-081689
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特開昭55-107289
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