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J-GLOBAL ID：200903079720021227

後面にドナーをドープしたヘテロ構造

Inventor： エルハルド コーン ,  インゴ ダォミラー ,  マルクス カンプ ,  マティアス ゼイボス
Applicant, Patent owner： エルハルド コーン
Agent (1)： 森下 賢樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002500626
Publication number (International publication number)：2003535481
Application date： Jun. 01, 2001
Publication date： Nov. 25, 2003
Summary：

【要約】本発明は、バッファ層または基板と、バッファまたは基板上に設けられたチャネルと、チャネル上に設けられたキャップ層とを備え、チャネルは圧電分極物質からなり、バッファまたは基板とチャネルとの間の境界面付近の領域、またはチャネルとキャップ層との間の境界面付近の領域は、それぞれの境界面に発生する圧電電荷が補償されるようにドープされるヘテロ構造に関する。

Claim (excerpt)：

バッファ層または基板と、前記バッファ層または基板上に設けられたチャネルと、前記チャネル上に設けられたキャップ層と、を備えるヘテロ構造であって、 前記チャネルは、圧電性物質からなり、 前記バッファまたは基板と前記チャネルとの間の境界面付近の領域、または前記チャネルと前記キャップ層との間の境界面付近の領域は、それぞれの境界面に発生する圧電電荷が補償されるようにドープされることを特徴とするヘテロ構造。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 E

F-Term (13)：

5F102FA00 ,  5F102GA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-170541   Applicant：ソニー株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104609   Applicant：ソニー株式会社