窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996170541
Publication number (International publication number)：1997330916
Application date： Jun. 10, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 GaNなどの窒化物系化合物半導体を、損傷を伴うことなく、しかも良好な制御性でエッチングすることができるエッチング方法およびこのエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 H2 ガスおよびN2 ガスなどの不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスと、Cl2 ガスなどのハロゲンガスおよびHClガスなどのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなり、かつ、第2のガスの分圧が数Torr〜常圧であるエッチングガスを用い、400°C以上の温度で、GaN、AlGaN、GaInNなどの窒化物系化合物半導体を気相で熱化学的にエッチングする。この方法により窒化物系化合物半導体を選択的にエッチングした後、このエッチングにより除去された部分に化合物半導体層をMOCVD法により選択的に成長させて埋め込み、FETや半導体レーザを製造する。

Claim (excerpt)：

水素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスとハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなり、かつ、上記第2のガスの分圧が数Torr〜常圧であるエッチングガスを用いて400°C以上の温度で窒化物系化合物半導体をエッチングするようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体のエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , H01L 29/41 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (4)：

H01L 21/302 A , H01L 29/44 C , H01L 29/80 B , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302586 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平2-291125
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-183336 Applicant：松下電器産業株式会社

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Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302586 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族-N系結晶の気相エッチング方法および再成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-212374 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開平2-291125

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