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J-GLOBAL ID：200903079728796198

有機半導体素子とその製造方法

Inventor： 田窪 知章 ,  青木 秀夫 ,  山口 直子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004177880
Publication number (International publication number)：2006005041
Application date： Jun. 16, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】素子構造の微細化や直接描画による低コスト化等を損なうことなく、素子製造効率の向上を図った有機半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体素子1は、ソース電極9と、ドレイン電極10と、これらソース電極9とドレイン電極10との間を電気的に接続する有機半導体層7と、この有機半導体層7に電界を印加するようにゲート絶縁膜4を介して配置されたゲート電極3とを具備する。有機半導体層7は有機半導体材料粒子の熱融着層からなる。有機半導体材料粒子の熱融着層は、例えば電子写真方式を適用して有機半導体材料粒子を付着させた後、この有機半導体材料粒子の付着層を加熱して熱融着させることにより形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極との間を電気的に接続する有機半導体層と、前記有機半導体層に電界を印加するようにゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを具備する有機半導体素子において、 前記有機半導体層は有機半導体材料粒子の熱融着層からなることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

F-Term (18)：

5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-259164   Applicant：コニカ株式会社