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J-GLOBAL ID：200903091576396865

有機半導体素子およびその製造方法

Inventor： 平井 桂 ,  船山 智 ,  江口 俊哉 ,  山本 直人
Applicant, Patent owner： コニカ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002259164
Publication number (International publication number)：2003179234
Application date： Sep. 04, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】有機半導体部とゲート電極間に配置される絶縁膜を大気圧下のプラズマ処理により形成する有機半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】ソース電極S、ドレイン電極D、前記ソース電極Sと前記ドレイン電極Dを連結する有機半導体部、ゲート電極G、および前記有機半導体部とケ ゙ート電極間Gに配置される絶縁膜を有するとともに、前記絶縁膜が大気圧下におけるプラズマ処理によって形成された絶縁膜である有機半導体素子と、有機半導体部とケ ゙ート電極G間に配置される絶縁膜を大気圧下におけるプラズマ処理によって形成する有機半導体素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極を連結する有機半導体部、ゲート電極、および前記有機半導体部とケ ゙ート電極間に配置される絶縁膜を有するとともに、前記絶縁膜が大気圧下におけるプラズマ処理によって形成された絶縁膜であることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/473 ,  H01L 51/00

FI (4)：

H01L 21/473 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/28

F-Term (42)：

5F058BA20 ,  5F058BB07 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF03 ,  5F058BF23 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331398   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 有機回路の作製プロセス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-090010   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Cited by examiner (2)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028474   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 液晶表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077787   Applicant：株式会社リコー