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J-GLOBAL ID：200903079734595722

半導体装置のための絶縁膜形成方法

Inventor：
寺田 信広

About 寺田 信広


Applicant, Patent owner：
宮崎沖電気株式会社

About 宮崎沖電気株式会社

, 
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (2)： 佐藤 幸男 (外1名) ,  佐藤 幸男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019372
Publication number (International publication number)：2000223566
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 TEOS法を用いた絶縁膜の成長について、より平坦化を図り得る絶縁膜形成方法を提供する。【解決手段】 第1のプラズマTEOS法を用いて、半導体基板10の表面およびその上の凸部11を覆うべく、第1の酸化シリコン膜12を成長させる。プラズマTEOS法で用いた高周波の出力よりも低い出力で発生されるプラズマを利用した第2のプラズマTEOS法を用いて、凸部11に対応して凸状に形成される第1の酸化シリコン膜12上に、第2の酸化シリコン膜13を成長させた後、第2の酸化シリコン膜13の不要部分を除去して、その残部により前記第1の酸化シリコン膜の凸状部分12aの両側に側壁部13aを形成する。オゾンTEOS法を用いて、側壁部13aおよび第1の酸化シリコン膜12を埋設すべく、第3の酸化シリコン膜17を成長させる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成される凸部を埋設すべくこれらを覆って形成される酸化シリコンからなる絶縁膜の形成方法であって、高周波の適用により発生するプラズマのエネルギーを利用した第1のプラズマTEOS法を用いて、前記凸部および前記半導体基板の前記凸部から露出する表面を覆うべく、ほぼ均等な厚さ寸法を有する第1の酸化シリコン膜を成長させること、前記プラズマTEOS法で用いた高周波の出力よりも低い出力で発生されるプラズマを利用した第2のプラズマTEOS法を用いて、前記凸部に対応して凸状に形成される前記第1の酸化シリコン膜上に、第2の酸化シリコン膜を成長させること、該第2の酸化シリコン膜により前記第1の酸化シリコン膜の凸状部分の両側に側壁部を形成すべく、前記第2の酸化シリコン膜の不要部分を除去すること、オゾンのエネルギーを利用したオゾンTEOS法を用いて、前記側壁部および前記第1の酸化シリコン膜を埋設すべく、第3の酸化シリコン膜を成長させることを含む、半導体装置のための絶縁膜形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M
F-Term (17)：
5F033QQ16 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX35 ,  5F058BA09 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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