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J-GLOBAL ID：200903079783394422

堆積膜形成装置

Inventor： 土田 伸史
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206600
Publication number (International publication number)：1997031659
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】20MHz〜450MHzによる高周波電力による成膜において、画像欠陥を増加させることなく軸方向の膜厚ムラの低減を可能にし、濃度ムラ、感度ムラ、画像のがさつきが無く、特性の再現性が良好で、高速の処理速度で比較的大面積の膜形成を、製造時間が短く低コストで行うことのできる堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】排気手段と原料ガス供給手段を有する真空反応容器を備え、この容器の放電空間内に回転軸により回転可能な円筒状基体又は補助基体を取り付けた円筒状基体を設置し、20MHz〜450MHzの高周波電力を印加し、基体上に堆積膜を形成する装置において、一方の電極は回転軸を兼ね、他方の端部は円筒基体又は補助基体側から順に誘電体及びアース電極を配置して構成した該端部と非接触のコンデンサを介して接地させたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

排気手段と原料ガス供給手段を有する真空気密可能な反応容器を備え、前記反応容器の放電空間内に回転軸により回転可能な一方の電極を兼ねた円筒状基体又は補助基体を取り付けた円筒状基体を設置し、該一方の電極と別に設けられたカソード電極との間に20MHz〜450MHzの高周波電力を印加し、前記円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記円筒状基体の母線方向の一方の端部は前記回転軸との接触により接地させ、その他方の端部は前記円筒状基体又は前記補助基体側から順に誘電体及びアース電極を配置して構成した該端部と非接触のコンデンサを介し接地させたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (11)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/34 ,  C23F 4/00 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (11)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/34 T ,  C23F 4/00 A ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B