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J-GLOBAL ID：200903079840617581

半導体微粒子集合体の製造方法およびそれを適用した半導体微粒子集合体

Inventor：
若山 裕

About 若山 裕

, 
田中 俊一郎

About 田中 俊一郎


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998323832
Publication number (International publication number)：2000150384
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体微粒子の粒径および形状精度などを高め、さらに高密度にかつ簡易な工程で半導体微粒子の集合体を作製することを可能にする。【解決手段】 非晶質状態の半導体薄膜2をそれとの間の界面エネルギーが高温下で上昇する基板1上に形成する。非晶質状態の半導体薄膜2の表面を清浄に保ち得る雰囲気中にて、非晶質状態の半導体薄膜2が結晶化する温度以上に加熱することにより、非晶質状態の半導体を結晶化させつつ、複数の半導体微粒子3を生成する。得られる半導体微粒子3の集合体は、平均粒径が 100nm以下であると共に、基板1上に50個/mm2 以上の数密度で存在している。
Claim (excerpt)：
非晶質状態の半導体薄膜を、高温下で前記半導体薄膜との間の界面エネルギーが上昇する基板上に形成する工程と、前記半導体薄膜の表面を清浄に保ち得る雰囲気中にて、前記非晶質状態の半導体薄膜が結晶化する温度以上に加熱することにより、前記非晶質状態の半導体を結晶化させつつ、複数の半導体微粒子を生成する工程とを有することを特徴とする半導体微粒子集合体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/203 ,  C23C 14/58
FI (2)：
H01L 21/203 Z ,  C23C 14/58 A
F-Term (24)：
4K029AA01 ,  4K029AA08 ,  4K029BA32 ,  4K029BA35 ,  4K029BA56 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029GA01 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD11 ,  5F103DD16 ,  5F103DD17 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH10 ,  5F103LL01 ,  5F103LL17 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103RR04 ,  5F103RR10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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