III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999092948
Publication number (International publication number)：2000286450
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【目的】基板とIII族窒化物系化合物半導体層との間の熱膨張率の相違によりIII族窒化物系化合物半導体層を成長させるときの高温でIII族窒化物系化合物半導体層にストレスが蓄積される。【構成】 III族窒化物系化合物半導体がその上に成長しない材料からなる離隔層を基板上に形成し、該離隔層で覆われていない基板の表面上へ、離隔層で離隔された状態を維持して、III族窒化物系化合物半導体を成長させる。

Claim (excerpt)：

基板表面に第一の環境部分と第二の環境部分とを形成し、前記第一の環境部分の上に素子を構成する複数のIII族窒化物系化合物半導体層を積層する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01S 5/343

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 31/10 A , H01S 3/18 677

F-Term (79)：

5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045BB16 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA51 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA57 , 5F045DB01 , 5F045DB02 , 5F049MA04 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA08 , 5F049NA20 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049PA20 , 5F049QA16 , 5F049SS03 , 5F049SS04 , 5F049SS09 , 5F049SS10 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA22 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

GaNバルク単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-074002 Applicant：酒井士郎, シャープ株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-246665 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子及び半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-006679 Applicant：松下電器産業株式会社

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