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J-GLOBAL ID：200903079926264932

水素精製用3塔式PSA装置におけるオフガスタンクからのオフガス圧力の制御方法

Inventor： 古田 博貴 ,  三浦 俊泰 ,  淵 昌彦 ,  藤木 広志 ,  日下 亮平 ,  鎌倉 幸弘 ,  中村 晴彦 ,  宮島 秀樹
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社 ,  東京ガスケミカル株式会社 ,  三菱化工機株式会社
Agent (1)： 加茂 裕邦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999174320
Publication number (International publication number)：2001010806
Application date： Jun. 21, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】水素精製用3塔式PSA装置に付設したオフガスタンクからのオフガスの圧力変動を抑えてオフガスを用いる改質器バーナの燃焼状態を安定化させる。【解決手段】水素精製用3塔式PSA装置に付設されたオフガスタンクのオフガスを水素製造用改質器のバーナに供給するに際して、オフガスタンクの圧力が最小となるときの当該最小圧力を基準として、オフガスタンク下流側のオフガス流量調整バルブの開度を所定の微小刻みで増減させることによりオフガスタンクからのオフガス圧力を制御することを特徴とする水素精製用3塔式PSA装置におけるオフガスタンクからのオフガス圧力の制御方法。

Claim (excerpt)：

水素精製用3塔式PSA装置に付設されたオフガスタンクのオフガスを水素製造用改質器のバーナに供給するに際して、オフガスタンクの圧力が最小となるときの当該最小圧力を基準として、オフガスタンク下流側のオフガス流量調整バルブの開度を所定の微小刻みで増減させることによりオフガスタンクからのオフガス圧力を制御することを特徴とする水素精製用3塔式PSA装置におけるオフガスタンクからのオフガス圧力の制御方法。

IPC (4)：

C01B 3/56 ,  B01D 53/04 ,  C01B 3/38 ,  F17C 13/00 301

FI (4)：

C01B 3/56 Z ,  B01D 53/04 B ,  C01B 3/38 ,  F17C 13/00 301 A

F-Term (25)：

3E072AA03 ,  3E072DB03 ,  3E072EA02 ,  3E072EA10 ,  3E072GA30 ,  4D012CA07 ,  4D012CB16 ,  4D012CD07 ,  4D012CE01 ,  4D012CF03 ,  4D012CG01 ,  4D012CH05 ,  4D012CJ01 ,  4G040EA03 ,  4G040EA06 ,  4G040EB03 ,  4G040EB33 ,  4G040EB42 ,  4G040EB43 ,  4G040FA02 ,  4G040FB02 ,  4G040FB04 ,  4G040FB05 ,  4G040FC03 ,  4G040FE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 水素発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-012402   Applicant：大阪ガスエンジニアリング株式会社
• 特開平2-160601