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J-GLOBAL ID：200903079927996082

微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置

Inventor：
松井 真二

About 松井 真二


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999286337
Publication number (International publication number)：2001107252
Application date： Oct. 07, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 複雑な構造を有する微小立体構造物(μm乃至nmオーダーの外形)を作製することができる微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 微小立体構造物の製造方法において、試料1上に原料ガス3を供給しながら集束イオンビーム4を照射し、第1層の堆積物5を形成する工程と、この第1層の堆積物5にイオンが当たって二次電子6を放出し、この二次電子6により第1層の堆積物5上にテラス7を形成する工程と、前記テラス7の所望の方向に集束イオンビーム4を焦点位置制御装置からの設定量に基づいて振る工程と、その振られた量に基づいて、前記テラス7上の変位した位置に第2層の堆積物8を形成する工程と、順次上記工程を繰り返し、設定された微小立体構造物を形成する工程とを施す。
Claim (excerpt)：
微小立体構造物の製造方法において、(a)試料上に原料ガスを供給しながら集束イオンビームを照射し、堆積物を形成する工程と、(b)前記堆積物にイオンが当たって二次電子を放出し、該二次電子により前記堆積物上にテラスを形成する工程と、(c)前記テラスの所望の方向に集束イオンビームを焦点位置制御装置からの設定量に基づいて振る工程と、(d)該振られた量に基づいて、前記テラス上の変位した位置に上層の堆積物を形成する工程と、(e)順次上記(b)から(d)工程を繰り返し、設定された微小立体構造物を形成する工程とを施すことを特徴とする微小立体構造物の製造方法。
IPC (4)：
C23C 16/48 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/52
FI (4)：
C23C 16/48 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/52
F-Term (20)：
4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA07 ,  4K030BA12 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4K030BA28 ,  4K030BA29 ,  4K030BB11 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030FA12 ,  4K030JA01 ,  4K030KA23 ,  4K030KA49 ,  4K030LA11 ,  4K030LA22
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • パターン形成方法及びその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-318213   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
  • 特許第2967198号
Cited by examiner (2)
  • パターン形成方法及びその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-318213   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
  • 特許第2967198号

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