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J-GLOBAL ID：200903079960646437

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： 入間田 修一 ,  宮下 博仁
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱マテリアルズ
Agent (1)： 小越 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187592
Publication number (International publication number)：2001011610
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 比抵抗が純Cuと比べて遜色なく、耐エレクトロマイグレーション性が高く、かつ半導体装置等のウエハ内配線部の形成に用いられるスパッタ膜の欠陥が少なく、生産効率を向上させることができるスパッタターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 Cuに、Ce、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素を、総計で0.02〜10at%添加した耐エレクトロマイグレーション特性に優れたCu合金配線形成用スパッタリングターゲットおよびCe、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素の添加に際し、水素化物として添加する同Cu合金配線形成用スパッタリングターゲットの製造方法。

Claim (excerpt)：

Cuに、Ce、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素を、総計で0.02〜10at%添加したことを特徴とする耐エレクトロマイグレーション特性に優れたCu合金配線形成用スパッタリングターゲット。

F-Term (5)：

4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スパッタリングターゲットおよび銅配線膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345394   Applicant：株式会社東芝
• 特許第2715579号