スパッタリングターゲットおよび銅配線膜

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：波多野久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345394
Publication number (International publication number)：1999176769
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】配線膜の流動性が良好であり、緻密で密着性が良好な配線膜を形成できるスパッタリングターゲットおよび銅配線膜を提供することを目的とする。【解決手段】酸素含有量が10ppm 以下であり、硫黄含有量が1ppm 以下であり、鉄含有量が1ppm 以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成ることを特徴とする。またはTi,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,LaおよびScから選択される少なくとも1種の元素を0.5〜250ppm 含有する銅基材から成ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

酸素含有量が10ppm 以下であり、硫黄含有量が1ppm 以下であり、鉄含有量が1ppm 以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (3)：

H01L 21/285 , C22C 9/00 , C23C 14/34

FI (3)：

H01L 21/285 S , C22C 9/00 , C23C 14/34 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118953 Applicant：同和鉱業株式会社
半導体用タングステンターゲットの製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-052871 Applicant：セントラル硝子株式会社
高融点金属ターゲット材,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-310117 Applicant：東京タングステン株式会社

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