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J-GLOBAL ID：200903079961093881

半導体製造方法及び半導体製造装置

Inventor： 村川 惠美 ,  本郷 俊明 ,  川上 聡 ,  湯浅 光博
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999097831
Publication number (International publication number)：2000294550
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板とSiN膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のSiN膜を形成することのできる半導体の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とするウエハWに、複数のスリットを有する平面アンテナ部材RLSA60を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記ウエハW表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して酸化膜相当換算膜厚で1nm以下の絶縁膜2を形成する。

Claim (excerpt)：

処理ガス雰囲気下で、ケイ素を主成分とする被処理基体に、複数のスリットを有する平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基体表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して酸化膜相当換算膜厚で1nm以下の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/316 A ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (55)：

4G077AA03 ,  4G077BB03 ,  4G077BE14 ,  4G077BE19 ,  4G077DB09 ,  4G077DB19 ,  5F040DC01 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040FC00 ,  5F045AA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DC51 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EM05 ,  5F045EN04 ,  5F045HA25 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BG01 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-191628   Applicant：ソニー株式会社