Pat
J-GLOBAL ID:200903080000879613
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
高松 猛
, 矢澤 清純
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007245335
Publication number (International publication number):2009075430
Application date: Sep. 21, 2007
Publication date: Apr. 09, 2009
Summary:
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、ラインエッジラフネスに優れ、且つ液浸液の水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定構造の、アルコキシ基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)フッ素および珪素を含有せず、特定構造の、2つ以上の-CH3部分を有する炭化水素基を有する繰り返し単位を有する樹脂及び(D)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、
(C)フッ素および珪素を含有せず、下記一般式(C-I)〜(C-III)から選ばれる繰り返し単位を有する樹脂及び
(D)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039
, G03F 7/38
, H01L 21/027
, C08F 20/28
FI (4):
G03F7/039 601
, G03F7/38 501
, H01L21/30 502R
, C08F20/28
F-Term (30):
2H025AA03
, 2H025AB14
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096AA28
, 2H096BA11
, 2H096CA06
, 2H096DA10
, 2H096EA05
, 2H096GA09
, 4J100AL08P
, 4J100BA03P
, 4J100BA04P
, 4J100BA06P
, 4J100BC09P
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent: