酸化物超電導体の製造方法、酸化物超電導体用原料、および酸化物超電導体用原料の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269251
Publication number (International publication number)：2002080297
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】金属酢酸塩を出発原料として利用可能で、なおかつ高い特性を有する酸化物超電導体を製造する方法を提供する。【解決手段】ランタノイド属およびイットリウムから選択した1種類以上の金属元素、バリウム、および銅を含む混合酢酸塩水溶液をトリフルオロ酢酸と混合、反応させて、混合トリフルオロ酢酸金属塩溶液を作成する混合・反応工程と、前記混合・反応工程によって作成された混合トリフルオロ酢酸金属塩溶液から水分および酢酸成分の合計含有量が、2重量%以下である精製混合トリフルオロ酢酸金属塩を作成する精製工程とを含む酸化物超電導体の製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

ランタノイド属およびイットリウムから選択した1種類以上の金属元素、バリウム、および銅を含む混合酢酸塩水溶液をトリフルオロ酢酸と混合、反応させて、混合トリフルオロ酢酸金属塩水溶液を作成する混合・反応工程と、前記混合・反応工程によって作成された混合トリフルオロ酢酸金属塩水溶液から水分および酢酸成分の合計含有量が、2重量%以下である精製混合トリフルオロ酢酸金属塩を作成する精製工程と、前記精製工程によって作成された混合トリフルオロ酢酸金属塩を溶媒に溶解してコーティング溶液を作成する溶解工程と、前記溶解工程によって作成されたコーティング溶液を基材に塗布し、混合トリフルオロ酢酸金属塩の膜を作成する成膜工程と、前記成膜工程によって混合トリフルオロ酢酸金属塩の膜が作成された基材を熱処理して超電導体を作成する熱処理工程とを具備したことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/22 501 , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA

FI (3)：

C30B 29/22 501 C , H01B 13/00 565 D , H01L 39/24 ZAA B

F-Term (21)：

4G077AA03 , 4G077BC53 , 4G077CB08 , 4G077EA01 , 4G077EC07 , 4G077HA08 , 4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113AD39 , 4M113AD40 , 4M113BA23 , 4M113BA29 , 4M113BA30 , 4M113CA34 , 5G321AA01 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321CA21 , 5G321DB22 , 5G321DB46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

単結晶基板の表面にエピタキシャル薄膜を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265134 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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