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J-GLOBAL ID：200903080072503022
化合物半導体気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257892
Publication number (International publication number)：1998106957
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 従来例の化合物気相成長装置のフィルターカートリッジは流入口に面した箇所に反応ガスや反応ダストによる微結晶の析出物が集中し、フィルターカートリッジの交換頻度が高かった。【解決手段】 フィルターを排気配管に配設した化合物半導体気相成長装置において、該フィルターのフィルターハウジング内のフィルターカートリッジに析出物が局所的に凝集して付着しない構造を有するフィルターをもつことを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
フィルターを排気配管に配設した化合物半導体気相成長装置において、該フィルターのフィルターハウジング内のフィルターカートリッジに析出物が局所的に凝集して付着しない構造を有するフィルターをもつことを特徴とする化合物半導体気相成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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