光半導体デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994060948
Publication number (International publication number)：1995273369
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】簡単な構成により、低コストで製造し得ると共に、外部への光の取出し効率を向上せしめるようにした、光半導体デバイスを提供する。【構成】光半導体デバイス10は、半導体基板11と組成傾斜層12と第1クラッド層13と活性層14と第2クラッド層15とを有しており、第2クラッド層15には穴あき電極17を形成し、この穴あき電極17に対応した光半導体デバイスの反対側の半導体基板11に円板状電極16を形成し、半導体基板11面から光を外部に取り出す。

Claim (excerpt)：

発光波長に対して透明な半導体基板と、この半導体基板上に順次積層された第1クラッド層と活性層と第2クラッド層とを有する光半導体デバイスであって、第2クラッド層表面に形成した穴あき電極と、この穴あき電極に対応して半導体基板上に形成した電極とを有し、この電極を有する半導体基板を電流拡散層及び光取り出し面としたことを特徴とする光半導体デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平1-296677
LED素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-088758 Applicant：和泉電気株式会社
特開昭58-159385

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Cited by examiner (7)

特開平1-296677
LED素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-088758 Applicant：和泉電気株式会社
特開昭58-159385

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