MOS型FETの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996277184
Publication number (International publication number)：1998107266
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】ドレイン、ゲート間及び低濃度拡散領域、ゲート間の電界を緩和した高耐圧のMOS型FETの製造方法を提供する。【解決手段】 NチャネルMOS型FETの低濃度N型ドレイン領域を形成する際、低濃度N型拡散領域表面に、低濃度N型拡散領域より不純物濃度の低いN型拡散領域、あるいはP型拡散領域を形成する。これらの拡散領域は、以下のように形成される。まず、低濃度N型拡散領域形成予定領域を開口するホトレジストマスクを形成し、この開口内に、リンとBF2をイオン注入する。ホトレジストを除去した後、熱拡散を行うと、拡散係数の違いにより、低濃度N型拡散領域に取り囲まれた不純物濃度の低いN型拡散領域、あるいはP型拡散領域が形成される。その後、ソース電極及びドレイン電極に接続するため高濃度N型拡散領域、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成し、MOS型FETを完成する。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体領域内に形成された逆導電型のソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域間にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極とを備え、前記ドレイン領域はドレイン電極と接触する逆導電型の高濃度拡散領域と前記ゲート電極下まで延出した逆導電型の低濃度拡散領域とからなるMOS型FETの製造方法において、前記低濃度拡散領域形成予定領域を開口するマスクを形成し、該開口内に導電型の異なる少なくとも2種類の不純物を導入する工程と、該導入された不純物を拡散し、逆導電型の低濃度拡散領域と、該低濃度拡散領域内に前記低濃度拡散領域より不純物濃度の低い逆導電型の拡散領域、あるいは一導電型の拡散領域を形成する工程と、該不純物濃度の低い逆導電型の拡散領域、あるいは一導電型の拡散領域の一部と重なり合うように、前記ゲート酸化膜を介して前記ゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とするMOS型FETの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-050897 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-260335
特開平3-020045

Show all

Return to Previous Page