酸化物、ケイ酸塩及びリン酸塩の気相成長

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：石田敬 , 鶴田準一 , 福本積 , 西山雅也 , 樋口外治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002530823
Publication number (International publication number)：2004527651
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

反応性金属アミド、アルキル又はアルコキシドと一緒にアルコキシシラノール又はアルキリホスフェートの蒸気を反応させることによって、加熱された基板上に金属ケイ酸塩又はリン酸塩を被着させる。例えば、トリス-(tert-ブトキシ)シラノールの蒸気がテトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウムの蒸気と反応して、300°Cに加熱された表面上にケイ酸ハフニウムを被着させる。製品膜は、反応装置全体にわたり非常に均一な化学量論量を有する。同様にして、ジイソプロピルホスフェートの蒸気はリチウムビス(エチルジメチルシリル)アミドの蒸気と反応して、250°Cに加熱した基板上にリン酸リチウム膜を被着させる。交互のパルスの形で蒸気を供給することにより、非常に均一な厚み分布及び優れたステップカバレッジでこれらの同じ組成物が生産される。

Claim (excerpt)：

ケイ素、酸素及び1種以上の金属又はメタロイドを含む材料を形成するための方法であって、アルコキシシラノール及びアルコキシシランジオールのうちの一方の蒸気を金属化合物及びメタロイド化合物のうちの1種以上のものの蒸気と一緒に反応させること、を含む材料形成方法。

IPC (2)：

C23C16/42 , H01L21/316

FI (2)：

C23C16/42 , H01L21/316 X

F-Term (17)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA10 , 4K030BA22 , 4K030BA24 , 4K030BA29 , 4K030BA42 , 4K030FA10 , 5F058BA09 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-297042 Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-066794 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開昭62-067175

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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