半導体集積回路装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995183941
Publication number (International publication number)：1997036242
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】低電圧で動作する低閾値電圧論理回路の一層の高速化を図ると共に、待機時の消費電流が小さい半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】低閾値電圧の電界効果トランジスタから成る回路と、高閾値電圧の電界効果トランジスタから成る回路とが電源線間で直列構成を備える半導体集積回路装置において、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さは高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜より薄いこと、もしくは、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長は高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長より短いこと、もしくは、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さは高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜より薄く、低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長は高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート長より短いことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

低閾値電圧の電界効果トランジスタからなる低閾値電圧論理回路と、高閾値電圧の電界効果トランジスタからなる高閾値電圧回路とが電源線間に直列に接続された構成を有する半導体集積回路装置において、上記低閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、上記高閾値電圧電界効果トランジスタのゲート絶縁膜の厚さより薄いことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 27/08 102 C , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ゲート回路及びそれを含む半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-063617 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-196164

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