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J-GLOBAL ID：200903080163507586

半導体装置の製造方法

Inventor： 村上 義樹 ,  徳舛 弘幸 ,  橋本 伸 ,  縄舟 秀美
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  縄舟 秀美
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998195312
Publication number (International publication number)：2000031095
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ガスの発生なく均一性に優れたメッキ方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上に第1の絶縁膜11となるSiO2が1μm形成されている。第1の絶縁膜中には銅の埋め込み配線が形成されている。この第1の絶縁膜11上には第2の絶縁膜12となるSiO2が2μm形成されている。この第2の絶縁膜12にコンタクト直径0.5μmのホール13が形成されている。コンタクトホール13を有するシリコン基板100をメッキ浴へ浸せきする。メッキ溶中の銅イオンCu2+が還元されて、銅Cuになりコンタクトホール中に銅が埋め込まれていく。2価の銅イオンが1価の銅イオンとなり、さらにコバルトを用いた還元により、1価の銅イオンを銅にまで還元している。この方法によれば、従来のような水素ガスの発生はなく、微細なコンタクトホールであっても均質に銅を埋め込むことができる。

Claim (excerpt)：

無電解メッキにより、溝に銅を形成する方法であって、メッキ浴には1価の銅イオンと、前記1価の銅イオンを銅に還元する還元剤とを有しており、前記1価の銅イオンが銅に還元されることにより前記溝中に銅を形成する工程を有するメッキ方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/40 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/288 M ,  C23C 18/40 ,  H01L 21/90 A

F-Term (25)：

4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB07 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104DD79 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13 ,  5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033AA73 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA38 ,  5F033DA04 ,  5F033DA07 ,  5F033DA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置用リードフレーム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-213579   Applicant：日立電線株式会社, 株式会社日立製作所
• 特開昭53-111372
  
• 特開昭50-085528