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J-GLOBAL ID：200903080281042075

オルトメタル化イリジウム錯体の製造方法

Inventor： 今野 英雄 ,  佐々木 義之
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003365964
Publication number (International publication number)：2004168755
Application date： Oct. 27, 2003
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】短時間で収率良く、効率的に高純度なオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法を提供する。【解決手段】ハロゲン化イリジウム化合物と有機配位子とを、反応させてオルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法において、有機配位子の使用量をハロゲン化イリジウム化合物に対して化学量論的に30当量以上とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

ハロゲン化イリジウムと有機配位子を反応させて、オルトメタル化イリジウム錯体を製造する方法において、有機配位子の使用量をハロゲン化イリジウム化合物に対して化学量論的に30当量以上とすることを特徴とするオルトメタル化イリジウム錯体の製造方法。

IPC (2)：

C07F15/00 ,  H05B33/14

FI (2)：

C07F15/00 E ,  H05B33/14 B

F-Term (10)：

3K007AB03 ,  3K007DB03 ,  4H050AA02 ,  4H050AB91 ,  4H050BA95 ,  4H050BB42 ,  4H050BC31 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• イリジウム錯体またはその互変異性体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-298529   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 高輝度蛍光イリジウム錯体およびそのマイクロ波加熱迅速簡易合成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-128639   Applicant：松村竹子