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J-GLOBAL ID：200903080288223733
半導体不揮発性メモリ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994267733
Publication number (International publication number)：1996130258
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】カップリングレシオの変動を抑止でき、書き込み、消去特性のばらつきを防止できる半導体不揮発性メモリ素子を実現する。【構成】ゲート絶縁膜の厚さをチャンネル幅方向に対してその中央部で薄くなるように第1のゲート絶縁膜4aを形成するとともに、両端部で厚くなるように、第2のゲート絶縁膜8,9を形成した構造とする。これにより、バーズビークによるカップリングレシオの変動を抑止でき、安定した書き込み消去特性を確保できる。
Claim (excerpt)：
ゲート絶縁膜を介してチャネルと浮遊ゲート間の電荷の授受を行う半導体不揮発性メモリ素子であって、上記ゲート絶縁膜の厚さをチャネル幅方向に対してその中央部で薄く、両端部で厚くした構造を有する半導体不揮発性メモリ素子。
IPC (3)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
Cited by examiner (5)
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