半導体力検出装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山道夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002206946
Publication number (International publication number)：2004055592
Application date： Jul. 16, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】感度の高い半導体力検出装置を提供する。【解決手段】梁状に加工した半導体薄膜としてInAs薄膜2を備え、InAs薄膜2によって形成される片持ち梁11の弾性的な変形を検出することにより、片持ち梁11に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体力検出装置である。InAs薄膜2は低次元量子構造を有し、この低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さくされている。片持ち梁11を構成する薄膜内に半導体低次元量子構造を用いることにより、極めて感度の高い半導体力検出装置を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

梁状に加工した半導体薄膜、または、半導体薄膜と絶縁体薄膜あるいは金属薄膜を接合し、かつ梁状に加工した積層薄膜を備え、この半導体薄膜または積層薄膜によって形成される梁の弾性的な変形を検出することにより、この梁に加わった微小な力を検出するメカニカルな半導体力検出装置において、前記半導体薄膜、または前記積層薄膜を構成する前記半導体薄膜は、 2次元、1次元、または0次の低次元量子構造を有し、前記低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さいか、または、前記低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギー差が、熱エネルギーと同等または小さくなるように、外部から加えられた電圧で制御されることを特徴とする半導体力検出装置。

IPC (4)：

H01L29/84 , G01L1/18 , H01L29/06 , H01L29/66

FI (5)：

H01L29/84 F , H01L29/84 A , G01L1/18 Z , H01L29/06 601Q , H01L29/66 S

F-Term (8)：

4M112AA01 , 4M112BA02 , 4M112CA21 , 4M112CA22 , 4M112CA24 , 4M112DA07 , 4M112EA09 , 4M112FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-185379
特開昭58-182276
特開昭60-210880

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