半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256343
Publication number (International publication number)：1999097686
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【目的】窒素イオン注入によってホットキャリア耐性を高めたFETにおいてゲート絶縁膜の劣化を防止し、ソース・ドレインの接合リークの増大を防止する。【構成】ウェル領域2上にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を形成し、全面に酸化膜20を堆積する。窒素を、注入ピークが酸化膜20内に形成される条件でイオン注入する(a)。RTAで熱処理を行った後、酸化膜22を堆積し(b)、エッチバックしてサイドウォール6を形成する。イオン注入によりソース・ドレイン領域7を形成する。チタンの堆積と熱処理と不要部の除去によりチタンシリサイド膜8、8′を形成する。層間膜としての酸化膜9を形成し、コンタクト孔を開孔して後電極・配線を形成する(c)。

Claim (excerpt)：

(1)第1導電型の半導体領域上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、(2)全面にシリコン酸化膜を堆積する工程と、(3)窒素イオンを、注入ピークが前記シリコン酸化膜中若しくはシリコン酸化膜/シリコン基板界面近傍となるように加速エネルギーを設定して注入する工程と、(4)異方性エッチングを行って前記ゲート電極の側面にサイドウォールスペーサを形成する工程と、(5)第2導電型の不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-333498 Applicant：三菱電機株式会社

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